13534146615
“壹芯”做好二极管各式优质二极管供应商

首页行业资讯 ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书 选型替换 - 壹芯微

ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书 选型替换 - 壹芯微

2021年09月14日09:50 

ATP404 TO252场效应MOS管参数规格书 选型替换 - 壹芯微

ATP404场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):60V;电流(ID):95A;封装(Pageke):TO-252;

大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号

ATP404

漏源电压 VDSS 60 V

栅源电压 VGSS ±20 V

漏极电流 (DC) ID 95 A

漏极电流(脉冲)IDP PW≤10μs,占空比≤1% 380 A

允许功耗 PD Tc=25°C 70 W

通道温度 Tch 150 °C

存储温度 Tstg --55 至 +150 °C

网友热评