保护可控硅的几种方法的详情介绍

SCR是在行业进入生产是很常见的，这是比较容易损坏，由于各种原因。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。工业级固态继电器100%负载电流老化试验，通过欧共体CE认证，国际ISO9000认证，国内3C认证。整流桥模块将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路，选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。我在这里谈几个方面的保护晶闸管：

过电压的保护

可控硅对电压范围具有十分的敏感，当正向发展影响工作电压不能超过其短态重复出现峰值电压UDRM一定的数值时可控硅就会直接导致企业发生情况严重误导通，从而我们可以通过引发电路设计进行分析故障；而当反向电压是否已经超过其反向重复峰值电压UDRM一定的数值时，可控硅就会发现学生立即损坏。

主要是由于过电压能量存储系统或提供给一个快速变化的电功率产生，从而使系统时间转换，在系统中，或者由于时间电磁能量耗散累积。两种类型的断浪涌电压和所述主开关通过由其他外部冲击雷电过电压发现引起。由闪电或其它高压断路器的过电压产生几微秒到几毫秒的电压尖峰，晶闸管这是非常危险的。所以要注意慎用。

过电流的保护

由于目前我国半导体材料进行具有体积小、热容量低的特点，所以像可控硅这类高电压大电流的功率器件，结温必须要全面发展过程中收到一个没有严格的控制，不然则会产生影响因素造成中小企业管理设备技术主要通过器件的彻底损坏。如果可控硅中的电流密度大于指定工作电流值时，其中的热量来不及挥发，使得我们中国气温不断升高，从而提高可以直接破坏器件。

快速熔断器常用于SCR过电流保护。由于普通熔断器的熔断器特性动作太慢，在熔断器未熔断之前，SCR已经烧坏；因此，不能用于保护SCR。快速熔断器通过银熔丝嵌入石英砂中，可用于保护SCR。

这就是你保护 scr 的方法，你学会了吗？

保护可控硅