壹芯微 MOS(场效应管) FDD8444_F085 N沟道 40V,50A 贴片TO-252多种封装
HY1910D场效应管参数及代换,HY1910D封装引脚图,HY1910D中文资料规格书下载
FDD8444_F085.pdf 规格书查看下载
FDD8444_F085场效应管参数如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage漏源电压 VDSS：40V
Gate Source Voltage栅源电压 VGSS：±20V
“壹芯”做好二极管各式优质二极管供应商
2021年10月19日17:16
壹芯微 MOS(场效应管) FDD8444_F085 N沟道 40V,50A 贴片TO-252多种封装
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极性：NPN
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