FDD8870(MOS场效应管) FDD8870参数中文资料 - 壹芯微

FDD8870(MOS场效应管) FDD8870参数中文资料 - 壹芯微

FDD8870场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：30V；电流(ID)：160A；封装(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号

FDD8870绝对最大额定参数

V_DSS 漏源电压 30 V

V_GS 栅源电压 ±20 V

I_D 漏极电流连续 (T_C=25°C,V_GS=10V) (注 1) 160 A

I_D连续 (T_C=25°C,V_GS=4.5V)(注 1) 150 A

I_D连续（T_amb=25°C，V_GS=10V），R_θJA=52°C/W 21 A

I_D脉冲图 4 A