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HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

2021年12月24日15:32 

HFD5N40,TO-252,中文参数,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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HFD5N40,TO-252

特性

· 原创新设计

· 卓越的雪崩坚固技术

· 强大的栅极氧化技术

· 极低的固有电容

· 优良的开关特性

· 无与伦比的栅极电荷:13 nC(典型值)

· 扩展安全操作区

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