壹芯微 MOS(场效应管) HY3010D N沟道 100V,60A 贴片TO-252多种封装
HY3010D场效应管参数及代换,HY3010D封装引脚图,HY3010D中文资料规格书下载
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HY3010D场效应管参数如下:
极性:NPN
Drain-Source Voltage漏源电压 VDSS:100V
Gate Source Voltage栅源电压 VGSS:±25V
2021年10月19日14:34
壹芯微 MOS(场效应管) HY3010D N沟道 100V,60A 贴片TO-252多种封装
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HY3010D场效应管参数如下:
极性:NPN
Drain-Source Voltage漏源电压 VDSS:100V
Gate Source Voltage栅源电压 VGSS:±25V