IRFR4510场效应管参数中文资料 MOS管选型替代 生产厂家 - 壹芯微

IRFR4510场效应管参数中文资料 MOS管选型替代 生产厂家 - 壹芯微

IRFR4510场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：100V；电流(ID)：63A；封装(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号

ID@TC=25°C 连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）63A

D@TC=100°C 连续漏极电流，VGS@10V（Silicon Limited）45A

ID@TC=25°C 连续漏极电流，VGS@10V（封装受限）56A

IDM 脉冲漏极电流① 252A

PD @TC=25° 最大功耗 143W

线性降额系数 0.95W/°C

VG 栅源电压 ±20V