IRLR3114Z场效应管参数中文资料 选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微
IRLR3114Z场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):40V;电流(ID):130A;封装(Pageke):TO-252;
大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号
ID@TC=25°C连续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited)130A
ID@TC=100°C连续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited)89A
ID@TC=25°C连续漏极电流,VGS@10V(封装受限)42A
IDM脉冲漏极电流① 500A
PD@TC=25°C 功耗 140W
线性降额因数0.95W/°C
VGS 栅源电压 ±16V