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IRLR3114Z场效应管参数中文资料 选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微

2021年09月14日10:18 

IRLR3114Z场效应管参数中文资料 选型替代 MOS管生产厂家 - 壹芯微

IRLR3114Z场效应管主要参数 极性:N沟道;电压(VDSS):40V;电流(ID):130A;封装(Pageke):TO-252;

大芯片,高品质,原厂批量直销,提供技术支持,免费送样测试,替代原装进口品牌型号

IRLR3114Z

ID@TC=25°C连续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited)130A

ID@TC=100°C连续漏极电流,VGS@10V(Silicon Limited)89A

ID@TC=25°C连续漏极电流,VGS@10V(封装受限)42A

IDM脉冲漏极电流① 500A

PD@TC=25°C 功耗 140W

线性降额因数0.95W/°C

VGS 栅源电压 ±16V

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