MOS管G极与S极之间的电阻作用解析

MOS管G极与S极之间的电阻作用解析

MOS管具有三个内在的寄生电容：Cgs、Cgd、Cds。这一点在MOS管的规格书中可以体现（规格书常用Ciss、Coss、Crss这三个参数代替）。MOS管之所以存在米勒效应，以及ＧＳ之间要并电阻，其源头都在于这三个寄生电容。

MOS管内部寄生电容示意

IRF3205寄生电容参数

1.MOS管的米勒效应

MOS管驱动之理想与现实

理想的MOS管驱动波形应是方波，当Cgs达到门槛电压之后， MOS管就会进入饱和导通状态。而实际上在MOS管的栅极驱动过程中，会存在一个米勒平台。米勒平台实际上就是MOS管处于“放大区”的典型标志，所以导致开通损耗很大。由此可见，米勒效应是一个对电路不利的却又客观存在的现象，在设计电路时需要加以考虑。

米勒平台形成的详细过程：

MOS管开启过程

将MOS管开启时间分解：

t0→t1：当GS两端电压达到门限电压Vgs(th)的时候（可以理解为对Cgs进行充电），MOS管开始导通，这之前MOS管处于截止区；