NCEP0178AK参数中文资料厂家直营 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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NCEP0178AK场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：100V；电流(ID)：78A；封装(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号

漏源电压 VDS 100V

栅源电压 VGS ±20V

漏极电流连续 ID 78A

漏极电流-连续(TC=100 ) ℃ ID (100℃) 60A

脉冲漏极电流 IDM 320A

最大功耗 PD 125W

降额系数 0.83W/℃