NCEP60T12AK参数,NCEP60T12AK MOS管报价免费送样 - 壹芯微

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NCEP60T12AK场效应管主要参数 极性：N沟道；电压(VDSS)：60V；电流(ID)：120A；封装(Pageke)：TO-252；

大芯片，高品质，原厂批量直销，提供技术支持，免费送样测试，替代原装进口品牌型号

漏源电压 VDS 60V

栅源电压 VGS ±20V

漏极电流-连续（硅限制） ID 120A

漏极电流-连续(TC=100℃) ID (100℃) 100A

脉冲漏极电流 IDM 480A

最大功耗 PD 180W

降额系数 1.2W/℃