P沟道场效应MOS管作为开关作用的条件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

P沟道场效应MOS管作为开关作用的条件(GS >GS(TH)) - 壹芯微

P沟道(场效应)MOS管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V；如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。那么和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。

如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，MOS管导通，不能够关断。

GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。

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