三极管低电压复位电路分析

三极管低电压复位电路分析

当内建的低电压复位电路的电压与应用规格不同时，可选用外部三极管低电压复位电路。

可提供低电压复位功能，并适用于强干扰环境。

低电压复位功能由RB1 与RB2 分压，或由稳压二极管电压决定。

当使用RB1 与RB2 分压时，其低电压复位点约为(RB1+RB2)/(2×RB1)，RC 电阻值需大于RB2/30。

当使用稳压二极管时，其低电压复位点约为VZ+0.5V，RB1 用于设定工作点VZ，RC 电阻值最好大于100kΩ，RB3 的电阻值约为10kΩ。

三极管Q1 在PCB 板上的位置很重要，一般要求Q1 的集电极(C)和发射极(E)与MCU 的RES 和VDD 引脚的布线最短。

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