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(图：STD4NK60ZMOS场效应管 TO-252封装引脚图)
壹芯微供应STD4NK60Z系列场效应管，可替代昂贵的国外知名品牌对应型号。
| 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
| 漏极-源极电压 | VDSS | 600 | V |
| 栅极-源极电压 | VGSS | ±30 | V |
| 单脉冲雪崩电流 | IAR | 4 | A |
| 栅极-源极电压 | ID | 4 | A |
| 漏极电流-脉冲 | IDM | 16 | A |
| 单脉冲雪崩能量 | EAS | 120 | mJ |
| 重复雪崩能量 | EAR | - | mJ |
| 二极管恢复峰值 | dv/dt | 4.5 | V/ns |
| 功耗,(TC = 25°C) | PD | 70 | W |
| 工作结温范围 | TJ | -55~150 | °С |
| 贮存温度范围 | TSTG | -55~150 | °С |
(参数表：绝对最大额定参数与电气特性等)
STD4NK60Z.PDF规格书/数据手册(点击红色字体下载)
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