壹芯微 MOS(场效应管) STD70N10F4 N沟道 100V,60A 贴片TO-252多种封装
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STD70N10F4.pdf 规格书查看下载
STD70N10F4场效应管参数如下:
极性:NPN
Drain-Source Voltage漏源电压 VDSS:100V
Gate-Source Voltage栅源电压 VGSS:±20V
2021年10月20日12:19
壹芯微 MOS(场效应管) STD70N10F4 N沟道 100V,60A 贴片TO-252多种封装
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极性:NPN
Drain-Source Voltage漏源电压 VDSS:100V
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