壹芯微 MOS(场效应管) STD80N10F7 N沟道 100V,80A 贴片TO-252多种封装
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STD80N10F7.pdf 规格书查看下载
STD80N10F7场效应管参数如下：
极性：NPN
Drain-Source Voltage漏源电压 VDSS：100V
Gate Source Voltage栅源电压 VGSS：±20V
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