SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

SVF3N50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

SVF3N50D中文参数,SVF3N50D封装引脚图,SVF3N50D数据手册,MOS管选型替代(生产厂家)

SVF3N50D场效应管封装TO-252,TO-251

描述

SVF3N50D/MJ,N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及原胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

特性
3A，500V，RDS(on)(典型值)=2.7?@VGS=10V

· 低栅极电荷量

· 低反向传输电容

· 开关速度快