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TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

2021年12月28日16:05 

TK3P50D参数,中文资料,规格书 - 场效应MOS管 - 壹芯微

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TK3P50D,TO-252

TK3P50D场效应管封装TO-252

封装形式与电路符号

特征

开关稳压器

(1) 低漏源导通电阻:RDS(ON)=2.3Ω(典型值)

(2) 高前向转移导纳:|Yfs|=1.0S(典型值)

(3) 低漏电流:IDSS=10µA(最大值)(VDS=500 V)

(4) 增强模式:Vth=2.4至4.4V(VDS=10V,ID=1mA)

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