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MOS管AO6401参数

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产品简介

PD最大耗散功率:2WID最大漏源电流:-5AV(BR)DSS漏源击穿电压:-30VRDS(ON)Ω内阻:47MΩVRDS(ON)ld通态电流:-5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-0.5~-1.3VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μAGfs(min)S跨导:18SGfs(min)VDS漏源电压:-5VGfs(min)lo通态电流:-5A

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