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MOS管STF10N62K3参数

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产品简介

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:8.4AV(BR)DSS漏源击穿电压:620VRDS(ON)Ω内阻:0.75ΩVRDS(ON)ld通态电流:4AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

产品详情

PD最大耗散功率:30WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:500VRDS(ON)Ω内阻:0.7ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:3~4.5VVGS(th)ld(μA)开启电流:100μA

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